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西数超车三星电子或点燃NAND价格战

2016-10-13来源:慧聪网编辑: 我要评论 我要投稿

    全球硬盘机大厂western digital(wd)和日厂东芝(toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产64层3d nand flash。不过外资警告,要是wd和东芝真的追上三星,三星可能会扩产淹没市场,重创nand价格。
    巴伦(barronˋs)11日报道,jefferies & co.的james kisner表示,wd和东芝计划抢在三星之前,生产64层3d nand flash,此举可能导致三星扩产还击。报告称,当前三星在业界握有主导权,将密切关注wd/闪迪(wd去年收购了闪迪)在第四季末的生产情况,决定64层3d nand的增产速度。要是三星认为wd技术赶上,可能会快速增加3d nand产能。
    报告指出,反讽的是,近期内东芝/闪迪64层技术发展缓慢,对业界较为有利。倘若wd迅速增产64层3d nand,三星也会扩产迎击,这么一来,wd可能会流失企业固态硬盘(ssd)市占,ssd是nand利润最高的市场,而且业界的价格压力也会大增。如今wd进退不得,不能放慢速度,以免对手追上,但是发展太快,又可能导致三星强力反击。
    三星是第一家开发出3d nand flash业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产64层3d nand flash的厂商。
    businesskorea 7月20日报道,2013年三星电子率先制造3d nand,东芝直到今年春天才加入生产行列,不过却以光速追上对手,计划今年第三季生产全球首款的64层3d nand flash,比三星快了一季。
    64层3d nand flash极为重要,业界认为64层3d nand flash的出现,代表平面nand flash时代画上句点。3d nand flash采垂直堆叠,可提高存储器容量和速度,表现优于平面nand flash。
    厂商争相投资3d nand flash,令人忧心忡忡。据传三星电子平泽厂(pyeongtaek)将提前投产,sk海力士(sk hynix)、东芝(toshiba)、美光(micron)产能也将于明年下半全面开出,届时3d nand可能会从供不应求、沦为供给过剩。
    businesskorea 6日报道,nand需求爆发,据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月,改在明年三、四月开始生产第四代64层3d nand。三星平泽厂完工,加上原本的华城(hwaseong)厂,届时三星3d nand产能将从当前水准提高两倍、至32万片。
    sk海力士也准备生产3d nand,仁川厂m14线无尘室正在装设仪器,估计第二代36层3d nand可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3d nand,估计未来3d nand将占sk海力士产出的一半。

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